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NTD600N80S3Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 800 V SUPERFET III MOSFET 是高性能 MOSFET 系列，提供 800 V 击穿电压。新的 800 V SUPERFET III MOSFET 针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，能够在不影响 EMI 性能的情况下降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了 ESD 能力。这一新型 800 V SUPERFET III MOSFET 系列因其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX 电源和工业电源）中的卓越性能，能够实现更高效、紧凑、低温和更可靠的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD600N80S3Z
- 商品编号
- C2902166
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品特性
- 典型RDS(on) = 550 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 15.5 nC)
- 输出电容中的存储能量低(400 V时Eoss = 1.74 μJ)
- 经过100%雪崩测试
- 采用齐纳二极管提高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频-工业电源