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NTMFS008N12MCT1G
N沟道,电流:79A,耐压:120V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS008N12MCT1G
- 商品编号
- C2902171
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品特性
- 小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准