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NTMFS002P03P8ZT1G
P沟道 MOSFET,电流:-263A,耐压:-30V
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- 描述
- 特性：超低RDS(on)以提高系统效率。 采用5x6mm的先进封装技术，节省空间并具有出色的热传导性能。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电源负载开关。 保护：反向电流、过电压和反向负电压
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS002P03P8ZT1G
- 商品编号
- C2902170
- 商品封装
- SO-8FL-EP-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 263A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 365nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.95nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.87nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CJAC70P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
-电池开关-负载开关-高密度单元设计,实现超低导通状态漏源电阻(RDS(ON))-雪崩电压和电流特性完全表征-具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好-出色的封装,散热性能佳-采用特殊工艺技术,具备高ESD能力-不间断电源
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）及通用应用
- 硬开关和高频电路