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NTMFS005N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:105A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以减少传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以减少驱动损耗。 这些器件无铅、无卤素、无铍，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS005N10MCLT1G
- 商品编号
- C2902099
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@192uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.35nF |
优惠活动
购买数量
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