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FCPF360N65S3R0L-F154
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决EMI问题，并便于设计实施。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF360N65S3R0L-F154
- 商品编号
- C2902104
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各类追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可省去额外的元件并提高系统可靠性。Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度为1 mm），外形低矮，占用空间小（8x8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源，可提供出色的开关性能。Power88封装的潮湿敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 75 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 66 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 569 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能-照明/充电器/适配器