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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 476pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UniFET II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2 kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET MOSFET具有更出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50 ns,反向dv/dt抗扰度为20 V/ns,而普通平面MOSFET的trr超过200 ns,反向dv/dt抗扰度为4.5 V/ns。因此,在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中,UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 典型RDS(on) = 2.42 Ω
- 超低栅极电荷(典型Qg = 9.1 nC)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源
- 工业电源
- 消费电源