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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 476pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET V MOSFET易驱动系列在硬开关和软开关拓扑中，既具备出色的开关性能，又不会牺牲易用性和电磁干扰（EMI）问题。
商品特性
- 典型RDS(on) = 2.42 Ω
- 超低栅极电荷(典型Qg = 9.1 nC)
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源
- 工业电源
- 消费电源