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NTBGS004N10G
1个N沟道 耐压:100V 电流:203A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBGS004N10G
- 商品编号
- C2902162
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.166667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 203A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.17nF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 高电流承载能力
- 宽安全工作区(SOA)
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 48V系统中的热插拔