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NTMT090N65S3HF

1个N沟道耐压:650V 电流:36A

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描述: SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于追求小型化和更高效率的各种电源系统
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMT090N65S3HF
商品编号: C2902093
商品封装: PQFN-4(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.494克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可减少额外元件的使用，提高系统可靠性。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度仅1 mm），外形低矮，占用面积小（8x8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的电源和驱动源，提供了卓越的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 98 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 62 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 522 pF）
100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能-照明/充电器/适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	36A
	导通电阻(RDS(on))	90mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	272W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V@0.86mA
	栅极电荷量(Qg)	66nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.93nF@400V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道