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NTMT110N65S3HF
N沟道,电流:30A,耐压:650V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT110N65S3HF
- 商品编号
- C2902092
- 商品封装
- PQFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@0.74mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.635nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装（8x8 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低导通损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电的吸尘器-无人机、物料搬运设备-电池管理系统(BMS)/储能设备、智能家居
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