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NCE0202M
1个N沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 描述
- NCE0202M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0202M
- 商品编号
- C2686539
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE30P25Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 2A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 580 mΩ(典型值:520 mΩ)
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 600 mΩ(典型值:540 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源