NCE30P25Q
P沟道,电流:-25A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P25Q
- 商品编号
- C2686554
- 商品封装
- DFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.632nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结原理设计并率先推出。多外延超结MOSFET提供了极快速且稳健的体二极管。同时，该器件具有极低的开关、通信和传导损耗，且具备高稳健性，尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -25A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 11mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理