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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE1540AD

N沟道增强型MOSFET,电流:40A,耐压:150V

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商品型号
NCE1540AD
商品编号
C2686578
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)105nC
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)96pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCE30NP1812Q采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于逆变器及其他应用。

商品特性

  • VDS = 150V,ID = 40A
  • RDS(ON) < 45 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:35mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF