NCE1540AD
N沟道增强型MOSFET,电流:40A,耐压:150V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE1540AD
- 商品编号
- C2686578
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE30NP1812Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于逆变器及其他应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 18 A
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -12 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 24 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 37 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 75 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装