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NCEP85T14D
1个N沟道 耐压:85V 电流:140A
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- 描述
- NCEP85T14D采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP85T14D
- 商品编号
- C2686595
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE60P55K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -55A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器