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NCEP0218G实物图
  • NCEP0218G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP0218G

N沟道,电流:18A,耐压:200V

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商品型号
NCEP0218G
商品编号
C2686620
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)951pF@100V
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)82pF

商品概述

NCEP048N72采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可实现高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 72V,ID = 110A
  • RDS(ON)< 4.3 mΩ@ VGS=10 V
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%经过UIS测试

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF