NCEP023N85D
N沟道,电流:260A,耐压:85V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP023N85D
- 商品编号
- C2686642
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 的极低组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100V，漏极电流 (ID) = 52A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 6.7mΩ，典型值，栅源电压 (VGS) = 10V 时
- 出色的栅极电荷 x 漏源导通电阻乘积 (FOM)
- 极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 175°C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 100% 经过 UIS 测试！
- 100% 经过 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流