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NCEP063N85G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP063N85G

N沟道,电流:90A,耐压:85V

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商品型号
NCEP063N85G
商品编号
C2686646
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))6.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)51nC@10V
输入电容(Ciss)3.1nF@40V
反向传输电容(Crss)28pF@40V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NCEP02T10D采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻和栅极电荷极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压 = 200V,漏极电流 = 100A
  • 栅源电压 = 10V时,漏源导通电阻 < 12 mΩ
  • 栅极电荷与漏源导通电阻乘积优异
  • 极低的导通电阻
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试

应用领域

-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF