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NCEP026N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP026N10
- 商品编号
- C2686668
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.5nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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