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NCEP020N10LL
1个N沟道 耐压:100V 电流:330A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP020N10LL
- 商品编号
- C2686687
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 252nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 135A
- RDS(ON) = 3.65 mΩ，典型值（TO - 220），@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 3.5 mΩ，典型值（TO - 263），@ VGS = 10V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 175°C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 无铅模塑料
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流