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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP10N12

NCEP10N12

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商品型号
NCEP10N12
商品编号
C2686707
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.9849克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCEP18N10AG采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 40A
  • 栅源电压(VGS) = 10V 时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 15.5 mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 19.5 mΩ(典型值)
  • 出色的栅极电荷 x 漏源导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻(RDS(ON))
  • 工作温度可达 150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF