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NCEP028N12LL实物图
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NCEP028N12LL

1个N沟道 耐压:120V 电流:230A

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描述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP028N12LL
商品编号
C2686733
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
0.955克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)230A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)380W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)213nC@10V
输入电容(Ciss)12.7nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)870pF

数据手册PDF

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