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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE70T1K2F

N沟道超结功率MOSFET,电流:4A,耐压:700V

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商品型号
NCE70T1K2F
商品编号
C2686754
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)28.4W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)304pF
反向传输电容(Crss)0.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)17pF

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。

商品特性

  • 适用于高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100%雪崩测试
  • 符合ROHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF