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NCEP015N30GU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP015N30GU

1个N沟道 耐压:30V 电流:170A

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商品型号
NCEP015N30GU
商品编号
C2686785
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)95W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.9881nF
反向传输电容(Crss)100.8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.4078nF

商品概述

NCEP60ND30AG采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 170A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 1.3mΩ(典型值)
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) = 1.9mΩ(典型值)
  • 具有出色的栅极电荷×导通电阻乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度可达150°C
  • 引脚无铅电镀
  • 100%进行了非钳位感性负载(UIS)测试
  • 100%进行了ΔVds测试

应用领域

-直流-直流转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF