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NCEP070N10AGU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP070N10AGU

N沟道,电流:80A,耐压:100V

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商品型号
NCEP070N10AGU
商品编号
C2686805
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)3.65nF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

采用独特的STripFET™工艺实现的该功率MOSFET系列,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它非常适合作为先进高效隔离式DC-DC转换器中的主开关。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 80A
  • RDS(ON) = 6.1 mΩ,典型值 @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 8.35 mΩ,典型值 @ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度达 150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 100% 进行了 ΔVds 测试

应用领域

-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册PDF