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NCE4606A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4606A

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A

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描述
NCE4606A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还可用于许多其他应用。
商品型号
NCE4606A
商品编号
C2687798
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.193克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21.3nC@10V
输入电容(Ciss)956.1pF
反向传输电容(Crss)116.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)122pF

商品概述

NCE80H15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • N沟道
  • VDS = 30V,ID = 6.5A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 24mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 37mΩ
  • P沟道
  • VDS = -30V,ID = -7A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 30mΩ
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 50mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 汽车应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF