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CJU10N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:9.6A
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- 描述
- CJU10N10具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU10N10
- 商品编号
- C2686820
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
该系列器件采用 Super Trench II 技术，此技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON) 和 Qg 极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 散热性能良好的优质封装
- 超低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
应用领域
- 功率开关应用
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