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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU10N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.6A

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描述
CJU10N10具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
CJU10N10
商品编号
C2686820
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.754克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.6A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.5nC@10V
输入电容(Ciss)690pF
反向传输电容(Crss)90pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

商品概述

该系列器件采用 Super Trench II 技术,此技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON) 和 Qg 极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 120V,ID = 100A
  • RDS(ON) = 6.5 mΩ,典型值(TO - 220),@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 6.3 mΩ,典型值(TO - 263),@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度可达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性负载(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF