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CJAC110SN10A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJAC110SN10A

1个N沟道 耐压:100V 电流:110A

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描述
CJAC110SN10A采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJAC110SN10A
商品编号
C2686821
商品封装
PDFNWB5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)186nC@10V
输入电容(Ciss)7.47nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.8nF

商品概述

NCEP090N85AQU采用超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 85V,ID = 56A
  • RDS(ON) = 8.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 11.5 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF