NCEP090N85QU
N沟道,电流:56A,耐压:85V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP090N85QU
- 商品编号
- C2686791
- 商品封装
- DFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
该系列器件采用了Super Trench II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 120V，漏极电流（ID） = 120A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 5.2 mΩ（TO - 220封装典型值）
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 5.0 mΩ（TO - 263封装典型值）
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）
- 极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
应用领域
-直流-直流转换器-非常适用于高频开关和同步整流