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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP60ND30AG

N沟道,电流:30A,耐压:60V

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商品型号
NCEP60ND30AG
商品编号
C2686777
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21.8nC
输入电容(Ciss)1.01nF
反向传输电容(Crss)9.9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 30A
  • RDS(ON) = 12mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 15mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!
  • DFN 5X6

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF