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NCEP035N85GU
1个N沟道 耐压:85V 电流:135A
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- 描述
- 使用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 QG 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP035N85GU
- 商品编号
- C2686769
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
该系列器件采用 Super Trench II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 85V,ID = 135A
- RDS(ON) = 2.9 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了雪崩耐量测试!
- 100% 进行了ΔVds测试!
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流