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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE65TF180F

1个N沟道 耐压:650V 电流:21A

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商品型号
NCE65TF180F
商品编号
C2686767
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.9925克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)33.8W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2.25nF
反向传输电容(Crss)1.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)83pF

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。

商品特性

  • 优化的体二极管反向恢复性能
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 开关电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • LLC 半桥

数据手册PDF