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NCE65T360D
1个N沟道 耐压:650V 电流:11.5A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。此超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T360D
- 商品编号
- C2686759
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
NCEP085N10AS采用超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)