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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE25TD120BT

1200V、25A沟槽式FSII快速绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

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描述
使用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,1200V沟槽FSII IGBT提供卓越的传导和开关性能,以及易于并联操作。
商品型号
NCE25TD120BT
商品编号
C2686745
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.29克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)50A
耗散功率(Pd)365W
输出电容(Coes)72pF
正向脉冲电流(Ifm)75A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.8V@25A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)146nC@15V
输入电容(Cies)2.674nF
开启延迟时间(Td(on))19ns
关断延迟时间(Td(off))170ns
导通损耗(Eon)1.5mJ
关断损耗(Eoff)800uJ
反向恢复时间(Trr)190ns
工作温度-55℃~+175℃
反向传输电容(Cres)59pF

数据手册PDF