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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP070N12D

NCEP070N12D

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商品型号
NCEP070N12D
商品编号
C2686720
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

商品特性

  • VDS = 120V,ID = 100A
  • RDS(ON) = 6.5 mΩ,典型值(TO - 220),@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 6.3 mΩ,典型值(TO - 263),@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度可达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性负载(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF