NCEP035N12D
NCEP035N12D
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP035N12D
- 商品编号
- C2686724
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 213nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 60A
- 典型导通电阻 RDS(ON) = 8.5mΩ，栅源电压（VGS） = 10V 时
- 典型导通电阻 RDS(ON) = 10.5mΩ，栅源电压（VGS） = 4.5V 时
- 出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(ON) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(ON)
- 工作温度可达 150°C
- 引脚无铅镀层
- 100% 进行了非钳位感性负载（UIS）测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- 直流 - 直流（DC/DC）转换器
- 适用于高频开关和同步整流