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NCEP040N12D

NCEP040N12D

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商品型号
NCEP040N12D
商品编号
C2686723
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)245W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)152nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻,并实现超低栅极电荷,适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。

商品特性

  • VDS = 120V, ID = 150A
  • R D S (ON) = 3.5 m Ω,典型值(TO - 220 封装),@ V G S = 10V
  • R D S (ON) = 3.3 m Ω,典型值(TO - 263 封装),@ V G S = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

-DC/DC 转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF