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NCEP080N12实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP080N12

N沟道,电流:90A,耐压:120V

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商品型号
NCEP080N12
商品编号
C2686709
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)3.715nF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)275pF

商品概述

该系列器件采用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 120V,ID = 90A
  • RDS(ON) = 7.7 mΩ,典型值(TO - 220)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 7.5 mΩ,典型值(TO - 263)@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行单脉冲雪崩耐量测试!
  • 100% 进行 ΔVds 测试!

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF