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NCEP11N10AK实物图
  • NCEP11N10AK商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP11N10AK

N沟道,电流:55A,耐压:100V

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商品型号
NCEP11N10AK
商品编号
C2686696
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)2.05nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 55A
  • R D S (ON) = 11.5 m Ω(典型值),V G S = 10 V
  • R D S (ON) = 14.5 m Ω(典型值),V G S = 4.5 V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 175°C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF