我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
NCEP068N10K实物图
  • NCEP068N10K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP068N10K

N沟道,电流:80A,耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCEP068N10K
商品编号
C2686700
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC
输入电容(Ciss)3.6nF
反向传输电容(Crss)19.5pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)335pF

商品概述

该系列器件采用了超级沟道 II 技术,该技术经过了独特的优化,能够提供最高效的高频开关性能。由于结合了极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Q_g,导通和开关过程中的功率损耗都被降至最低。此器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏极-源极电压 VDS = 100 伏,漏极电流 ID= 14 安培
  • 在栅极-源极电压 VGS = 10 伏时,典型导通电阻 RDS(ON) = 8.4 毫欧
  • 在栅极-源极电压 VGS = 4.5 伏时,典型导通电阻 RDS(ON) = 10.0 毫欧
  • 栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 的出色乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度高达 175℃
  • 无铅镀层
  • 对未钳位电感开关(UIS)进行 100% 测试!
  • 对漏极-源极电压变化(ΔVds)进行 100% 测试!

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF