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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP082N10AS

N沟道,电流:20A,耐压:100V

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商品型号
NCEP082N10AS
商品编号
C2686705
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.5W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
输入电容(Ciss)5.58nF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)360pF

商品概述

该系列器件采用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 20A
  • R D S (ON) = 7.4mΩ,典型值,V G S = 10V
  • R D S (ON) = 9.0mΩ,典型值,V G S = 4.5V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 150°C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试!
  • 100% 进行了 \Delta Vds 测试!

应用领域

-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF