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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP11N10AS

N沟道,电流:12A,耐压:100V

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商品型号
NCEP11N10AS
商品编号
C2686702
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
21.625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.4W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)54nC@10V
输入电容(Ciss)2.6nF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)230pF

商品概述

NCEP068N10K采用超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 12A
  • R D S (O N) = 9. 1 m Ω,典型值 @ V G S = 1 0 V
  • R D S (O N) = 1 2 m Ω,典型值 @ V G S = 4. 5 V
  • 出色的栅极电荷与RDS(ON)乘积(品质因数 FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度 150°C
  • 无铅电镀
  • 经过 100% UIS 测试!
  • 经过 100% ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF