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NCEP25N10AK
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- NCEP25N10AK采用了超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP25N10AK
- 商品编号
- C2686694
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.6nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3176nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100V，漏极电流 (ID) = 300A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 1.7mΩ，典型值，栅源电压 (VGS) = 10V 时
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数，FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 工作温度达 175°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行单脉冲雪崩耐量 (UIS) 测试！
- 100% 进行 ΔVds 测试！
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流应用