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NCEP18N10AK
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
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- 描述
- 使用超级沟槽 II 技术，专门针对提供最高效的高频开关性能进行了优化。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，传导和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP18N10AK
- 商品编号
- C2686695
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147.4pF |
商品概述
该系列器件采用了Super Trench II技术，该技术经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。极低的RDS(ON)和Qg组合使导通和开关功率损耗降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 200A
- RDS(ON) = 2.4mΩ，典型值（TO - 220）@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 2.2mΩ，典型值（TO - 263）@ VGS = 10V
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试！
- 100%进行ΔVds测试！
应用领域
- DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流