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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP18N10AG

N沟道,电流:40A,耐压:100V

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商品型号
NCEP18N10AG
商品编号
C2686689
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37.6nC
输入电容(Ciss)1.7195nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。此器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 40A
  • R D S (ON) = 15.5 m Ω(典型值)@ V G S = 10V
  • R D S (ON) = 19.5 m Ω(典型值)@ V G S = 4.5 V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 150°C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了UIS测试!
  • 100%进行了ΔVds测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF