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NCEP060N10G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP060N10G

N沟道,电流:100A,耐压:100V

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商品型号
NCEP060N10G
商品编号
C2686680
商品封装
PDFN-8(5x5.8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)74nC@10V
输入电容(Ciss)3.2nF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)360pF

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 100V, ID = 100A
  • RDS(ON) = 5.4mΩ,典型值,@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 150°C 工作温度
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行单脉冲雪崩耐量测试!
  • 100% 进行 \Delta Vds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF