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NCEP055N10G实物图
  • NCEP055N10G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP055N10G

N沟道,电流:105A,耐压:100V

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商品型号
NCEP055N10G
商品编号
C2686681
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)105A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)400pF

商品概述

NCEP25N10AG采用了超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻和栅极电荷组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 105A
  • R D S (ON) = 4.9mΩ(典型值)@ V GS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度 150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试!
  • 100% 进行了 \Delta Vds 测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF