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NCEP026N10T
1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 QG 的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP026N10T
- 商品编号
- C2686684
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 的极低组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 230A
- RDS(ON) = 2.15 m Ω,典型值@ VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 175°C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 100% 非钳位电感开关测试!
- 100% ΔVds 测试!
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流