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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP023N10LL

1个N沟道 耐压:100V 电流:300A

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描述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP023N10LL
商品编号
C2686686
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
0.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))2.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)380W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)240nC@50V
输入电容(Ciss)14nF@50V
反向传输电容(Crss)74pF@50V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCEP035N60AG采用超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 110A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 2.8mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 3.5mΩ(典型值)
  • 出色的栅极电荷×漏源导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻(RDS(on))
  • 工作温度可达150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册PDF