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NCEP045N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:125A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP045N10D
- 商品编号
- C2686674
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 130A
- RDS(ON) = 3.7 mΩ，典型值（TO - 220），@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 3.55 mΩ，典型值（TO - 263），@ VGS = 10V
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 175 °C 工作温度
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流