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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP078N10G

N沟道,电流:75A,耐压:100V

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商品型号
NCEP078N10G
商品编号
C2686679
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)53nC@10V
输入电容(Ciss)3.07nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)290pF

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 的极低组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • 漏源电压 (VDS) = 100V,漏极电流 (ID) = 93A
  • 漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 6.0mΩ,典型值(TO - 220),栅源电压 (VGS) = 10V 时
  • 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻乘积 (FOM)
  • 极低的导通电阻 (RDS(on))
  • 工作温度达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量 (UIS) 测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF