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NCEP095N10AG
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP095N10AG
- 商品编号
- C2686677
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 60A
- 典型导通电阻 RDS(ON) = 8.5mΩ,栅源电压(VGS) = 10V 时
- 典型导通电阻 RDS(ON) = 10.5mΩ,栅源电压(VGS) = 4.5V 时
- 出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(ON) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(ON)
- 工作温度可达 150°C
- 引脚无铅镀层
- 100% 进行了非钳位感性负载(UIS)测试!
- 100% 进行了 ΔVds 测试!
应用领域
- 直流 - 直流(DC/DC)转换器
- 适用于高频开关和同步整流